Bipolartransistor 2SA930-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA930-G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA930-G

Der 2SA930-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA930-G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA930 liegt im Bereich von 160 bis 960, die des 2SA930-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA930-H im Bereich von 480 bis 960.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA930-G-Transistor könnte nur mit "A930-G" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA930-G ist der 2SC1571-G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA930-G

Sie können den Transistor 2SA930-G durch einen 2SA1025, 2SA1083, 2SA1127, 2SA1174, 2SA1175, 2SA1246, 2SA1246-U, 2SA1317, 2SA1317-U, 2SA1318, 2SA1318-U, 2SA1391, 2SA1391-U, 2SA1392, 2SA1392-U, 2SA1481, 2SA1481-G, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SA564A, 2SA608N, 2SA608N-G, 2SA733, 2SA929, 2SA929-G, 2SA990, 2SA991, 2SB1116, 2SB1229, 2SB1229-U, 2SB892, 2SB892-U, 2SB985, 2SB985U, A733, BC257, H733, KSA733C, KSB1116 oder KSB1116S ersetzen.
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