Bipolartransistor 2SA608N-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 280 bis 560
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA608N-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA608N-G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA608N liegt im Bereich von 160 bis 560, die des 2SA608N-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA608N-G-Transistor könnte nur mit "A608N-G" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA608N-G ist der 2SC536N-G.Der 2SA1037 (SOT-23), 2SA1037-S (SOT-23), 2SA812 (SOT-23), FJX733 (SOT-323) und KSA812 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA608N-G-Transistors.Sie können den Transistor 2SA608N-G durch einen 2SA1246, 2SA1246-U, 2SA1317, 2SA1317-U, 2SA1318, 2SA1318-U, 2SA1391, 2SA1391-U, 2SA1392, 2SA1392-U, 2SA1481, 2SA1481-G, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SB1116, 2SB1229, 2SB1229-U, 2SB560, 2SB560-G, 2SB892, 2SB892-U, 2SB985, 2SB985U, A733, H733, KSA733C, KSB1116 oder KSB1116S ersetzen.