Bipolartransistor 2SB985

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB985

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SB985

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB985 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB985R liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB985S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB985T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB985U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB985-Transistor könnte nur mit "B985" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB985 ist der 2SD1347.

SMD-Version des Transistors 2SB985

Der 2SB1123 (SOT-89) und 2SB1124 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB985-Transistors.
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