Bipolartransistor 2SA885Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA885Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 170
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA885Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA885Q kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 170 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA885 liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SA885R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SA885S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA885Q-Transistor könnte nur mit "A885Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA885Q ist der 2SC1846Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA885Q

Sie können den Transistor 2SA885Q durch einen 2SA1096, 2SA1096A, 2SA1214, 2SA1217, 2SA1359, 2SA505, 2SA715, 2SA743, 2SA886, 2SA963, 2SA985Q, 2SA986, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD136, BD136G, BD138, BD138G, BD166, BD168, BD176, BD178, BD188, BD190, BD227, BD229, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD376, BD378, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744A, KSE170, KSE171, KTA1715, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE232, MJE233, MJE235, MJE371, MJE371G, MJE710 oder MJE711 ersetzen.
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