Bipolartransistor 2SA1217-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1217-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA1217-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1217-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1217 liegt im Bereich von 80 bis 240, die des 2SA1217-O im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1217-Y-Transistor könnte nur mit "A1217-Y" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1217-Y ist der 2SC2877-Y.

SMD-Version des Transistors 2SA1217-Y

Der 2DA1213 (SOT-89), 2DA1213Y (SOT-89), 2SA1213 (SOT-89), 2SA1213-Y (SOT-89) und BDP948 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SA1217-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1217-Y

Sie können den Transistor 2SA1217-Y durch einen 2SA1359, 2SA1359-Y, 2SB1143, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, 2SB986, BD132, BD176, BD176-16, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 oder MJE252 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com