Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1030B
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.3 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 230 MHz
Rauschzahl, max: 4 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1030B
Der 2SA1030B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1030B kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1030 liegt im Bereich von 100 bis 320, die des 2SA1030C im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1030B-Transistor könnte nur mit "A1030B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1030B ist der 2SC2308B.
SMD-Version des Transistors 2SA1030B
Der 2SA812 (SOT-23), 2SA812-M4 (SOT-23), KSA812 (SOT-23) und KSA812-O (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1030B-Transistors.
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