Bipolartransistor 2N6053

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6053

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6053

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6053 ist der 2N6055.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6053

Sie können den Transistor 2N6053 durch einen 2N6050, 2N6051, 2N6052, 2N6052G, 2N6054, 2N6285, 2N6285G, 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA744, 2SA745, 2SA745A, 2SA746, 2SA747, 2SA907, BD316 oder BD318 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com