Bipolartransistor 2N6052

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6052

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6052

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6052 ist der 2N6059.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6052

Sie können den Transistor 2N6052 durch einen 2N6052G, 2N6287, 2N6287G, 2SA907, 2SA908, 2SA909, 2SB722 oder BD318 ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N6052G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N6052.
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