Bipolartransistor 2N6051
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6051
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2N6051
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6051
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