Bipolartransistor 2N6051

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6051

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6051

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6051 ist der 2N6058.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6051

Sie können den Transistor 2N6051 durch einen 2N6052, 2N6052G, 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA907, 2SA908, 2SB722, BD316 oder BD318 ersetzen.
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