Bipolartransistor 2N6052G
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6052G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
- Der 2N6052G ist die bleifreie Version des 2N6052-Transistors
Pinbelegung des 2N6052G
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6052G
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com