Bipolartransistor 2N6050

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6050

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6050

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6050 ist der 2N6057.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6050

Sie können den Transistor 2N6050 durch einen 2N6051, 2N6052, 2N6052G, 2N6285, 2N6285G, 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA907, BD316 oder BD318 ersetzen.
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