Bipolartransistor 2N5816

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.75 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N5816 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5816 ist der 2N5817.Der 2SC3325 (SOT-23), 2SC3441 (SOT-23), 2SC3441-D (SOT-23), 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23), 2SD602A (SOT-23), BC817 (SOT-23), BC817-16 (SOT-23), BC817-16W (SOT-323), BC817W (SOT-323), BCX19 (SOT-23), KST4401 (SOT-23), MMBT4401 (SOT-23), MMST4401 (SOT-323), PMBT4401 (SOT-23) und PMST4401 (SOT-323) ist die SMD-Version des 2N5816-Transistors.Sie können den Transistor 2N5816 durch einen 2N5822, BC337, BC337-16, BC485, BC485A, BC487, BC487A, BC489 oder BC489A ersetzen.