Bipolartransistor BC489

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC489

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC489

Der BC489 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC489 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC489A liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC489B im Bereich von 160 bis 400, die des BC489L im Bereich von 60 bis 150.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC489 ist der BC490.

SMD-Version des Transistors BC489

Der FMMTA06 (SOT-23) und KST06 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC489-Transistors.
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