Bipolartransistor 2N5817

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.75 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N5817 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5817 ist der 2N5816.Der 2SA1313 (SOT-23), 2SA1366 (SOT-23), 2SA1366-D (SOT-23), 2SA1518 (SOT-23), 2SA1519 (SOT-23), 2SA1520 (SOT-23), 2SA1521 (SOT-23), 2SB710A (SOT-23), BC807 (SOT-23), BC807-16 (SOT-23), BC807-16W (SOT-323), BC807W (SOT-323), BCX17 (SOT-23), FMMT2907 (SOT-23), FMMT2907R (SOT-23), KN2907S (SOT-23), KTN2907S (SOT-23), KTN2907U (SOT-323), PMBT2907 (SOT-23) und PMST2907 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5817-Transistors.Sie können den Transistor 2N5817 durch einen 2N5823, BC327, BC327-16, BC486, BC486A, BC488, BC488A, BC490 oder BC490A ersetzen.