Bipolartransistor BC485

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC485

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC485

Der BC485 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC485 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC485A liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC485B im Bereich von 160 bis 400, die des BC485L im Bereich von 60 bis 150.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC485 ist der BC486.

SMD-Version des Transistors BC485

Der 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23) und 2SC3915 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC485-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC485

Sie können den Transistor BC485 durch einen BC487 oder BC489 ersetzen.
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