Bipolartransistor BC817W

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323
• Electrically Similar to the Popular BC337 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC817W kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC817-16W liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC817-25W im Bereich von 160 bis 400, die des BC817-40W im Bereich von 250 bis 600.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC817W ist der BC807W.Der BC337 ist die TO-92-Version des BC817W.