Transistor bipolaire MJE5730G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
• Tension collecteur-base maximum: -300 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 150
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE5730G est la version sans plomb du transistor MJE5730

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE5730G par 2SA1009, 2SA1009A, MJE5730, MJE5731, MJE5731A, MJE5731AG, MJE5731G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 ou MJE5852G.