Transistor bipolaire MJE5731AG

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -375 V
• Tension collecteur-base maximum: -375 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 150
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE5731AG est la version sans plomb du transistor MJE5731A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE5731AG par 2SA1009A, MJE5731A, MJE5852 ou MJE5852G.