Transistor bipolaire MJE5730

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
• Tension collecteur-base maximum: -300 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 150
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE5730 par 2SA1009, 2SA1009A, MJE5730G, MJE5731, MJE5731A, MJE5731AG, MJE5731G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 ou MJE5852G.Le transistor MJE5730G est la version sans plomb du MJE5730.