Transistor bipolaire MJ11031G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -90 V
• Tension collecteur-base maximum: -90 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -50 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11031G est la version sans plomb du transistor MJ11031

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11031G est le MJ11030G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11031G par MJ11031, MJ11033 ou MJ11033G.