Transistor bipolaire MJ11019

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
• Tension collecteur-base maximum: -200 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 175 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11019 est le MJ11020.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11019 par 2SA909, MJ11021 ou MJ11021G.