Transistor bipolaire MJ11022G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
• Tension collecteur-base maximum: 250 V
• Tension émetteur-base maximum: 50 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 175 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11022G est la version sans plomb du transistor MJ11022

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11022G est le MJ11021G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11022G par 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ11022 ou MJ12022.