Transistor bipolaire MJ11022

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
• Tension collecteur-base maximum: 250 V
• Tension émetteur-base maximum: 50 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 175 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11022 est le MJ11021.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11022 par 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ11022G ou MJ12022.Le transistor MJ11022G est la version sans plomb du MJ11022.