Transistor bipolaire MJE15032G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
• Tension collecteur-base maximum: 250 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 50 W
• Gain de courant (h_fe): 50
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE15032G est la version sans plomb du transistor MJE15032

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE15032G est le MJE15033G.Vous pouvez remplacer le transistor MJE15032G par FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJE15032, MJE15034, MJE15034G, MJE5740, MJE5741, MJE5742, TIP160, TIP161 ou TIP162.