Transistor bipolaire KTC8550S-D

Caractéristiques électriques du transistor KTC8550S-D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -35 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 150 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular KTC8550D transistor

Brochage du KTC8550S-D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTC8550S-D peut avoir un gain en courant continu de 150 à 300. Le gain en courant continu du KTC8550S est compris entre 100 à 300, celui du KTC8550S-C entre 100 à 200.

Marquage

Le transistor KTC8550S-D est marqué "BLD".

Complémentaire du transistor KTC8550S-D

Le transistor NPN complémentaire du KTC8550S-D est le KTC8050S-D.

Transistor KTC8550S-D en boîtier TO-92

Le KTC8550D est la version TO-92 du KTC8550S-D.

Substituts et équivalents pour le transistor KTC8550S-D

Vous pouvez remplacer le transistor KTC8550S-D par 2SA1621, BCW67, BCW68, FMMT549, FMMT549A, FMMT591, FMMT591Q, KTA1298, MMBT2907, MMBT2907A, MMBT4354 ou MMBT4355.
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