Transistor bipolaire KTC8050S-D
Caractéristiques électriques du transistor KTC8050S-D
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
- Tension collecteur-base maximum: 35 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.8 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 150 à 300
- Fréquence de transition minimum: 120 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular KTC8050D transistor
Brochage du KTC8050S-D
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor KTC8050S-D
Transistor KTC8050S-D en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KTC8050S-D
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