Transistor bipolaire KTC8550S-C

Caractéristiques électriques du transistor KTC8550S-C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -35 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular KTC8550C transistor

Brochage du KTC8550S-C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTC8550S-C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KTC8550S est compris entre 100 à 300, celui du KTC8550S-D entre 150 à 300.

Marquage

Le transistor KTC8550S-C est marqué "BLC".

Complémentaire du transistor KTC8550S-C

Le transistor NPN complémentaire du KTC8550S-C est le KTC8050S-C.

Transistor KTC8550S-C en boîtier TO-92

Le KTC8550C est la version TO-92 du KTC8550S-C.

Substituts et équivalents pour le transistor KTC8550S-C

Vous pouvez remplacer le transistor KTC8550S-C par 2SA1621, 2SA1621-O, BCW67, BCW67A, BCW68, BCW68F, FMMT549, FMMT591, FMMT591Q, KTA1298, KTA1298-O, MMBT2907, MMBT2907A, MMBT4354 ou MMBT4355.
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