Transistor bipolaire KTC8550D

Caractéristiques électriques du transistor KTC8550D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -35 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 150 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KTC8550D

Le KTC8550D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTC8550D peut avoir un gain en courant continu de 150 à 300. Le gain en courant continu du KTC8550 est compris entre 100 à 300, celui du KTC8550C entre 100 à 200.

Version SMD du transistor KTC8550D

Le 2SA1036 (SOT-23), 2SA1036-Q (SOT-23), 2SA1204 (SOT-89), 2SA1588 (SOT-323), 2SA1621 (SOT-23), KTA1298 (SOT-23), KTA1505 (SOT-23), KTA1505S (SOT-23), KTA1664 (SOT-89), KTC8550S (SOT-23) et KTC8550S-D (SOT-23) est la version SMD du transistor KTC8550D.

Substituts et équivalents pour le transistor KTC8550D

Vous pouvez remplacer le transistor KTC8550D par BC527, MPS4354, MPS4355, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN2907, PN2907A, ZTX549, ZTX550, ZTX949 ou ZTX951.
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