Caractéristiques électriques du transistor KTC8550C
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
Tension collecteur-base maximum: -35 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 120 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du KTC8550C
Le KTC8550C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KTC8550C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KTC8550 est compris entre 100 à 300, celui du KTC8550D entre 150 à 300.