Transistor bipolaire KTC2020D-Y

Caractéristiques électriques du transistor KTC2020D-Y

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du KTC2020D-Y

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTC2020D-Y peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KTC2020D est compris entre 100 à 300, celui du KTC2020D-GR entre 150 à 300.

Complémentaire du transistor KTC2020D-Y

Le transistor PNP complémentaire du KTC2020D-Y est le KTA1040D-Y.

Version SMD du transistor KTC2020D-Y

Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTC2020D-Y.

Substituts et équivalents pour le transistor KTC2020D-Y

Vous pouvez remplacer le transistor KTC2020D-Y par 2SC3303, 2SD1221, 2SD1221-Y, 2SD1252, 2SD1252A, 2SD1253, 2SD1253A, 2SD1254, 2SD1255, 2SD1256, 2SD1257, 2SD1257A ou KTC2022D.
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