Transistor bipolaire 2SD1255

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1255

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 130 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 35 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 260
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SD1255

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1255 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 260. Le gain en courant continu du 2SD1255-P est compris entre 130 à 260, celui du 2SD1255-Q entre 90 à 180, celui du 2SD1255-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1255 peut n'être marqué que D1255.

Complémentaire du transistor 2SD1255

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1255 est le 2SB932.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1255

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1255 par 2SD1256, 2SD1257 ou 2SD1257A.
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