Transistor bipolaire KSD363-R

Caractéristiques électriques du transistor KSD363-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 300 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD363-R transistor

Brochage du KSD363-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD363-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du KSD363 est compris entre 40 à 240, celui du KSD363-O entre 70 à 140, celui du KSD363-Y entre 120 à 240.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD363-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSD363-R par 2SD363, 2SD363-R, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE5180, MJE5181, MJE5182, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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