Transistor bipolaire KSB985

Caractéristiques électriques du transistor KSB985

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 150 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 30000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD985 transistor

Brochage du KSB985

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB985 peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 30000. Le gain en courant continu du KSB985-O est compris entre 4000 à 10000, celui du KSB985-R entre 2000 à 5000, celui du KSB985-Y entre 8000 à 30000.

Complémentaire du transistor KSB985

Le transistor PNP complémentaire du KSB985 est le KSB794.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB985

Vous pouvez remplacer le transistor KSB985 par 2SD1509, 2SD985, 2SD986, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB986, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 ou MJE803G.
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