Transistor bipolaire 2SB766

Caractéristiques électriques du transistor 2SB766

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 340
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB766

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB766 peut avoir un gain en courant continu de 85 à 340. Le gain en courant continu du 2SB766-Q est compris entre 85 à 170, celui du 2SB766-R entre 120 à 240, celui du 2SB766-S entre 170 à 340.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB766 peut n'être marqué que B766.

Complémentaire du transistor 2SB766

Le transistor NPN complémentaire du 2SB766 est le 2SD874.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB766

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB766 par 2SB766A.
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