Transistor bipolaire KSB772-G

Caractéristiques électriques du transistor KSB772-G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772GR transistor

Brochage du KSB772-G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB772-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSB772 est compris entre 60 à 400, celui du KSB772-O entre 100 à 200, celui du KSB772-R entre 60 à 120, celui du KSB772-Y entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor KSB772-G

Le transistor NPN complémentaire du KSB772-G est le KSD882-G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB772-G

Vous pouvez remplacer le transistor KSB772-G par 2SA2196, 2SA2197, 2SB1143, 2SB1143-T, 2SB1165, 2SB1165-T, 2SB1166, 2SB1166-T, 2SB772, 2SB772E, 2SB772GR, 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR, MJE232, MJE235 ou MJE370.
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