Transistor bipolaire KSB772-G
Caractéristiques électriques du transistor KSB772-G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
- Tension collecteur-base maximum: -40 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -3 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 400
- Fréquence de transition minimum: 80 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SB772GR transistor
Brochage du KSB772-G
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSB772-G
Substituts et équivalents pour le transistor KSB772-G
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