Transistor bipolaire 2SB772GR

Caractéristiques électriques du transistor 2SB772GR

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 80 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB772GR

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB772GR peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB772 est compris entre 60 à 400, celui du 2SB772E entre 200 à 400, celui du 2SB772O entre 100 à 200, celui du 2SB772P entre 160 à 320, celui du 2SB772Q entre 100 à 200, celui du 2SB772R entre 60 à 120, celui du 2SB772Y entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB772GR peut n'être marqué que B772GR.

Complémentaire du transistor 2SB772GR

Le transistor NPN complémentaire du 2SB772GR est le 2SD882GR.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB772GR

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB772GR par 2SA2196, 2SA2197, 2SB1143, 2SB1143-T, 2SB1165, 2SB1165-T, 2SB1166, 2SB1166-T, 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSB772-G, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR, MJE232, MJE235 ou MJE370.
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