Transistor bipolaire KSD1616A-G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 400
• Fréquence de transition minimum: 160 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SD1616A-K transistor

Le KSD1616A-G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSD1616A-G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSD1616A est compris entre 135 à 400, celui du KSD1616A-Y entre 135 à 270.Le transistor PNP complémentaire du KSD1616A-G est le KSB1116A-G.Le 2SD1615A (SOT-89) et 2SD1615A-GP (SOT-89) est la version SMD du transistor KSD1616A-G.Le 2SD1616A-K est la version TO-92 du KSD1616A-G.Vous pouvez remplacer le transistor KSD1616A-G par 2SC6043, 2SD1616A ou 2SD1616A-K.