Transistor bipolaire HSB1109

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 320
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor HSB1109 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du HSB1109-B est compris entre 60 à 120, celui du HSB1109-C entre 100 à 200, celui du HSB1109-D entre 160 à 320.Le transistor NPN complémentaire du HSB1109 est le HSD1609.Vous pouvez remplacer le transistor HSB1109 par 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1109, 2SB1110, KSA1220A ou KSA1381.