Transistor bipolaire HSD1609

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 320
• Fréquence de transition minimum: 145 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SD1609 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor HSD1609 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du HSD1609-B est compris entre 60 à 120, celui du HSD1609-C entre 100 à 200, celui du HSD1609-D entre 160 à 320.Le transistor PNP complémentaire du HSD1609 est le HSB1109.Vous pouvez remplacer le transistor HSD1609 par 2SC2258, 2SC2690A, 2SC3416, 2SC3417, 2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601, 2SC3788, 2SC3789, 2SC3790, 2SC3955, 2SC3956, 2SD1609, 2SD1610, BD127, BD128, KSC2258, KSC2258A, KSC2690A, KSC3502 ou KSC3503.