Transistor bipolaire BDW51C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 150
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDW51C est le BDW52C.Vous pouvez remplacer le transistor BDW51C par 2N6284, 2N6284G, 2SC1584, 2SC1585, 2SC1586, 2SC2431, 2SC2433, 2SD753, 2SD753-C, BD317, MJ11018, MJ11020, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 ou MJ15003G.