Transistor bipolaire BDW52C

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 150
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDW52C est le BDW51C.Vous pouvez remplacer le transistor BDW52C par 2N6287, 2N6287G, 2SA1041, 2SA1043, 2SA907, 2SA908, 2SA909, 2SB722, 2SB723, 2SB723-C, BD318, MJ11017, MJ11019, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 ou MJ15004G.