Transistor bipolaire MJ15003G

Caractéristiques électriques du transistor MJ15003G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 140 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 20 A
  • Dissipation de puissance maximum: 250 W
  • Gain de courant (hfe): 25 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le MJ15003G est la version sans plomb du transistor MJ15003

Brochage du MJ15003G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJ15003G

Le transistor PNP complémentaire du MJ15003G est le MJ15004G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJ15003G

Vous pouvez remplacer le transistor MJ15003G par MJ15003.
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