Transistor bipolaire BC859BW

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
• Tension collecteur-base maximum: -30 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 450
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Figure de bruit maximum: 1 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-323

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor BC859BW peut avoir un gain en courant continu de 200 à 450. Le gain en courant continu du BC859AW est compris entre 110 à 220, celui du BC859CW entre 420 à 800, celui du BC859W entre 110 à 800.Le transistor NPN complémentaire du BC859BW est le BC849BW.Vous pouvez remplacer le transistor BC859BW par BC807W, BC857BW, BC857W, BC858BW, BC858W, BC860BW, BC860W ou FJX733.