Transistor bipolaire BC858BW

Caractéristiques électriques du transistor BC858BW

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC858BW

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC858BW peut avoir un gain en courant continu de 200 à 450. Le gain en courant continu du BC858AW est compris entre 110 à 220, celui du BC858CW entre 420 à 800, celui du BC858W entre 110 à 800.

Complémentaire du transistor BC858BW

Le transistor NPN complémentaire du BC858BW est le BC848BW.

Substituts et équivalents pour le transistor BC858BW

Vous pouvez remplacer le transistor BC858BW par BC807W, BC857BW, BC857W, BC859BW, BC859W, BC860BW, BC860W ou FJX733.
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