Transistor bipolaire 2SD877-Y
Caractéristiques électriques du transistor 2SD877-Y
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 110 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 25 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 200
- Fréquence de transition minimum: 3 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-66
Brochage du 2SD877-Y
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD877-Y
Version SMD du transistor 2SD877-Y
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD877-Y
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