Transistor bipolaire 2SC1113

Caractéristiques électriques du transistor 2SC1113

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 30
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-66

Brochage du 2SC1113

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC1113 peut n'être marqué que C1113.

Version SMD du transistor 2SC1113

Le BDP953 (SOT-223) et BDP955 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SC1113.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SC1113

Vous pouvez remplacer le transistor 2SC1113 par 2N5429 ou 2N5430.
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