Caractéristiques électriques du transistor 2SD1288-Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
Tension collecteur-base maximum: 120 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 7 A
Dissipation de puissance maximum: 70 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 55 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SD1288-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1288-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1288 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD1288-P entre 160 à 320, celui du 2SD1288-R entre 60 à 120.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1288-Q peut n'être marqué que D1288-Q.
Complémentaire du transistor 2SD1288-Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1288-Q est le 2SB965-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1288-Q