Transistor bipolaire 2SD1212

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1212

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 35 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD1212

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1212 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 280. Le gain en courant continu du 2SD1212-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SD1212-R entre 100 à 200, celui du 2SD1212-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1212 peut n'être marqué que D1212.

Complémentaire du transistor 2SD1212

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1212 est le 2SB903.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1212

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1212 par 2SD1062, 2SD1669, BD545, BD545A, BDT81 ou BDT81F.
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