Transistor bipolaire 2SB870-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -130 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -7 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 90 à 180
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB870-Q peut avoir un gain en courant continu de 90 à 180. Le gain en courant continu du 2SB870 est compris entre 60 à 260, celui du 2SB870-P entre 130 à 260, celui du 2SB870-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB870-Q peut n'être marqué que B870-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SB870-Q est le 2SD866-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB870-Q par 2SA1010, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1452, 2SA1452A, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB708, 2SB946, 2SB946-Q, 2SB992, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSB708, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 ou MJF15031G.