Transistor bipolaire 2SB858-D

Caractéristiques électriques du transistor 2SB858-D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB858-D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB858-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB858 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB858-B entre 60 à 120, celui du 2SB858-C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB858-D peut n'être marqué que B858-D.

Complémentaire du transistor 2SB858-D

Le transistor NPN complémentaire du 2SB858-D est le 2SD1134-D.

Version SMD du transistor 2SB858-D

Le NZT660 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB858-D.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB858-D

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB858-D par 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1634-F, 2SA1635, 2SA1635-F, 2SA1742, 2SA1743, 2SA1744, 2SA770, 2SA771, 2SB633, 2SB633-F, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 ou MJE15029G.
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